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型号 SI4477DY-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4477DY-T1-GE3 PDF
代理商 SI4477DY-T1-GE3
标准包装 2,500
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 26.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 6.2 毫欧 @ 18A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 190nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4600pF @ 10V
功率 - 最大 6.6W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SOICN
包装 带卷 (TR)
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